2015年11月12日，美国工程院院士、中国工程院外籍院士、IEEE会士、国际知名微电子技术与半导体器件专家施敏（Dr. Simon M. Sze）来访信息学院，在海韵教学楼504报告厅做了题为《Encounter with the Digital Age》的精彩报告。董俊副院长主持报告会，介绍了施敏院士的个人简历和学术影响力，蔡志平教授、许惠英教授、周剑扬副教授、李琳副教授、贾富强副教授、王晓忠老师及本科生、研究生代表共约200人参加报告会，现场座无虚席。

施敏（Simon M·Sze）院士，美国国籍，美国工程院院士，中国工程院院士，台湾中央研究院三院院士。1936年出生，1957年毕业于台湾大学，1960年、1963年分别获得华盛顿大学和斯坦福大学硕士与博士学位，1963年至1989年在贝尔实验室工作。他在金半接触、微波器件及次微米金属半场效应晶体技术等领域都有开创性的贡献。他是非挥发MOS场效应记忆晶体管（MOSFET）的发明者，这项发明已成为世界集成电路产业主导产品之一，是移动电话、笔记本电脑、IC卡、数码相机及便携式电子产品的关键部件。此外，他还有多项创造性成果，如80年代初首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件，首先发现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标。并且他的三本专著已在我国翻译出版，其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻译成六国文字，发行量逾百万册；他的著作广泛用作教科书与参考书。此次厦门之行，施敏院士向信息学院捐赠了八本畅销书和一本MOC课程目录，为厦门大学微电子、半导体及集成电路专业方向的师生们送来一份丰厚的礼物。

针对我们所处的数码电子时代，施院士深刻地分析了当前世界的大环境，肯定了未来世界将是电子工业时代，鼓励大家积极创新科研与自强不息。施院士的讲座深入浅出，娓娓道来，讲述了我们所处的数码电子时代的利与弊，并且说明了电子工业在本世纪崭露头角，也必然会在近百年迎来辉煌时代。报告结束后，师生们踊跃提问，施院士一一做了回答。师生们意犹未尽，部分师生在活动结束后仍继续和施院士进行了深入的交流和探讨。

（文：曾爱玲  图：周荣兴）